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四探針測(cè)試儀 便攜式四探針?lè)治鰞x 高精度四探針測(cè)試儀

  • 簡(jiǎn)單描述
  • 該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
  • 產(chǎn)品型號(hào):  DL10-RTS-3
  • 更新時(shí)間:  2024-03-28
  • 訪問(wèn)次數(shù):  2251
詳細(xì)介紹

四探針測(cè)試儀 便攜式四探針檢測(cè)儀 高精度四探針測(cè)試儀          

型號(hào):DL10-RTS-3

測(cè)量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計(jì);

體積僅為:185mm(長(zhǎng))*90mm()*30mm( 重量:350g;

使用鋰電池供電,一次充電可連續(xù)使用100小時(shí);

RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技 術(shù) 指 標(biāo)

測(cè)量范圍 電阻率:0.011999.9Ω.cm

方塊電阻:0.119999Ω/□;

恒流源 電流量程分為100μA、1mA兩檔,兩檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00199.99mV 分辨力:10μV;

輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1%;

顯示:以大屏幕LCD顯示讀數(shù),直觀清晰;極性、超量程自動(dòng)顯示;

四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm; 針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機(jī)械游移率:≤0.3%;

探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm; 探針壓力:516 牛頓總力

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)見(jiàn)探頭附帶的合格證

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

JJG508-87進(jìn)行) 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 5%

外型尺寸 185mm(長(zhǎng))*90mm()*30mm(

重量 350g

電源 鋰電池,一次充電可連續(xù)使用100小時(shí);

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃; 相對(duì)濕度:≤65% 無(wú)高頻干擾; 無(wú)強(qiáng)光直射;

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:李

 

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